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深度分析NandFlash—控制器参数TACLS、TWRPH0和TWRPH1的确定(以TQ2440开发板上的K9F2G08U0A为例)

发布时间:2016-12-5 6:24:27 编辑:www.fx114.net 分享查询网我要评论
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 转在自 :http://blog.csdn.net/it_114/article/details/6259649  作者:IT_114  感谢作者做出了详细的分析,解答了我的迷惑。这是一篇解释的最好的文章。 这三个参数对于NandFlash的读写操作来说是比较重要的,没搞清楚这三个参数,后面的事就不用提了,那这三个参数到底是干什么的呢,我们怎么样去配置他们呢,今天我花了点时间研究了一下这三个参数。在datasheet中对他们的时序有下面两种图示,一种是写命令或者地址的情况,一种是读写数据的情况:    由上图可知,这三个参数控制的是Nand Flash 信号线CLE/ALE与写控制信号nWE的时序关系。 TACLS:表示CLT/ALE的建立时间(setup time)。 TWRPH0:表示nWE/nRE持续的时间。 TWRPH1:表示写进去的数据起作用的时间(hold time)。 结合上面的图,就可以看出TACLS就相当于tCLS和tALS参数,TWRPH0就相当于tWP,而TWRPH1就相当于tCLH和TALH           上图中有两种电压,1.8和3.3,我们的K9F2G08U0A工作时的电压时3.3V,所以应该选用3.3V对应的时序要求,NandFlash的工作电压在哪里看呢,还是datasheet,如下图所示: 从上图我们可以很容易得看出K9F2G08U0A工作时的电压是3.3V。 那这三个参数在哪里确定呢,它们的值又是怎么算呢?在NFCON这个寄存器中,还是datasheet: 由于我们的HCLK是100MHz,周期也就是10ns,可以设 TACLS=2,即2*10ns=20ns > 12ns;TWRPH0=7,及8*10ns=80ns > 12ns;TWRPH1=7,即7*10ns=70ns > 5ns 符合时序要求

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